IXTM12N90

功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • IXTM12N90
  • 9500
  • IXYS
  • 17+
  • TO-204
  • 自家现货 欢迎来电查询 
  • 立即询价
  • IXTM12N90
  • 884000
  • YXYBDT台湾
  • 2018/19
  • TO-3
  • 原厂原装,货仓现货 
  • 立即询价
  • IXTM12N90
  • 68000
  • IXYS
  • 2016+
  • TO-3
  • 一级代理大量现货 
  • 立即询价
  • IXTM12N90
  • 68000
  • IXYS
  • 2016+
  • TO-3
  • 一级代理大量现货 
  • 立即询价
  • IXTM12N90
  • 372000
  • IXYS
  • 18+
  • 原厂封装
  • 原装正品,长期供货,欢迎来电查询! 
  • 立即询价
  • IXTM12N90
  • 2500
  • IXYS
  • 17+
  • TO-204
  • 全新原装进口价格优势欢迎来电 
  • 立即询价